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英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

发布时间:20-03-25

2020年美光三星⊙等公司会推出新一代的DDR5内存,最高速率可达6400Mbps,将逐步取代DDR4内存▒。现在〧的DRAM内存技术还在升级,但是技术瓶颈也〣日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代技术,英国就找到了新方向&mda▣▤▥sh;&mdash≡;全新内存延迟可低至10ns╨,功耗仅有〾现在1%ε。

多年来人们一直在寻求完美的“۞۞内存&rdqu∪o;芯片*εїз,它既需要低延◣迟、高带宽,也要功耗低(不◎需要频繁刷新),同⊙时还得容量大,成本低,更重要的是具备断╣电不损失数据的特性,可以说是NAN☎D闪存及DRAM内存的完美体︰。

这么多要求,√做起来可真不容易,Intel的傲腾内存是基于PCM相变内Ⅻ存技术的,在可靠性、延迟▔等∶问题上已经大幅领先现在的闪存,更接◄近DRAM内存芯片了,不过超越内存还达不⿶到。

日〇前外媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型的“内存&r&dq☺☻uo;,它使用的是III-V族材料,主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝,用в这些材じ料制〆成的NVDRAM非易失性∽内存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100Ⅲ倍,也就是说功耗只有现有DRA◇M内存的1%,同♂时延迟可低至10n┄┅s。

总之,♡这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性к——超低功耗、写入不破坏数据¨、非易失性,Щ其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升,10☞ns级别的延迟跟DDR4⊕内存差不多,但是上面三条特▓性,尤其是非→易失性就足够让“内存&rdqu┌o;『革命了。

不过也没法高兴太早,英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向,真正大规【模制造这种⿴内存还是没影的事,就像是像传了很久的ↆMRAM、PCM、RRAM芯片一↹样。

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